最新阻變存儲器RRAM技術可在單芯片中存下1TB數(shù)據(jù)
阻變存儲器RAM（RRAM）是一種可以用于PC和移動設備的內(nèi)部存儲器，相比現(xiàn)在的閃存，它的速度快上許多，讀寫時還非常節(jié)能。今天，加州一家技術公司Crossbar宣布研發(fā)出全新電阻式RAM技術，可以在一顆比郵票還小的單芯片中存下1TB的數(shù)據(jù)，這意味著未來電子產(chǎn)品的存儲密度將極大地提高，同時RRAM的寫入性能比目前最好的NAND芯片還快上20倍，讀寫時的功率僅為1/20。
取決于不同的設備，RRAM可以將設備電池壽命延長數(shù)周、數(shù)月甚至數(shù)年，使用壽命也10倍于NAND，可以說是一種完美的高速存儲器。Crossbar還表示，這種存儲器還可以以陣列的方式運行，他們計劃將這項技術授權給其它公司使用，目前30余項專利已經(jīng)被授予。 原文地址：http://iphone.myzaker.com/l.php?l=51ffad287f52e9ab5900000c 該文章在 2013/8/6 21:16:18 編輯過 |
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