[圖]突破至384GB 三星V-NAND改變手機存儲格局
現有NAND閃存即將迎來革命性發展，昨天三星正式宣布已經批量投產全球首款3D垂直設計的NADA閃存"V-NAND"，采用三星特殊設計改良的垂直單元機構，能夠最高疊到24層，每層最高容量為128Gb(16GB)，這就意味著未來的智能手機內置存儲有望突破到384GB，這大大改善了現有移動手機 內置存儲的容量瓶頸。
使用V-NAND具備以下幾個優點：首先新的芯片在可靠性方面提高了2到10倍，相比較現有10nm制程的閃存內存的能夠帶來2倍以上的傳輸性能的提升。而這種多層次的架構體系除了能夠帶來性能上的提升之外還能進一步減少處理器單元尺寸。 這些V-NAND芯片未來有望裝備在消費級別的SSD設備上，或者在不久的將來嵌入到移動終端的內置存儲中來。 原文地址：http://iphone.myzaker.com/l.php?l=5201b06b7f52e98a12000683 該文章在 2013/8/7 20:30:20 編輯過 |
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